「深紫外」の記事一覧 【名城大学】AlGaN系UV-B半導体レーザー高効率化の鍵を解明― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で世界最高レベルの電力・光エネルギー変換効率5.5％を達成 ―Applied Physics Lettersの注目論文にも選定 2026.08.07 10:00 名城大学
【名城大学】AlGaN系UV-B半導体レーザー高効率化の鍵を解明― 内部光損失を最小化する新たな設計指針で世界最高レベルの電力・光エネルギー変換効率5.5％を達成 ―Applied Physics Lettersの注目論文にも選定 2026.08.07 10:00 名城大学
